Đẳng cấp vua bộ nhớ Flash toàn cầu
Theo công bố mới của tờ Nihon Keizai (Nhật Bản), Samsung tiếp tục duy trì vị thế dẫn đầu toàn cầu trên thị trường bộ nhớ NAND Flash với 34,8% trong năm 2024. Kể từ năm 2003, ông lớn Hàn Quốc đã có nhiều năm liền duy trì vị thế dẫn đầu toàn cầu ở lĩnh vực lưu trữ dữ liệu, đáp ứng nhu cầu lưu trữ khổng lồ trong kỷ nguyên 5G, AI và Big Data.
NAND Flash là công nghệ bộ nhớ điện tĩnh, có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi không kết nối với nguồn điện, đồng thời có thể xóa và ghi lại nhiều lần. Với các ưu điểm trên, NAND Flash là công nghệ cốt lõi trong thẻ nhớ SD, ổ USB, ổ cứng SSD, bộ nhớ trong của nhiều thiết bị như điện thoại thông minh, máy tính bảng, máy chơi game cầm tay, máy bay không người lái, camera hành trình, camera quay phim và thậm chí cả kính thực tế ảo…
Công nghệ NAND Flash là nền tảng mang đến thành công cho nhiều sản phẩm thẻ nhớ và ổ cứng của Samsung
Năm 2003, Samsung được công nhận là thương hiệu top 1 thế giới về bộ nhớ Flash nhờ những đột phá công nghệ đáng kinh ngạc về thẻ nhớ Secure Digital. Bước ngoặt tiếp theo củng cố vị thế dẫn đầu kể trên là việc Samsung giới thiệu bộ nhớ flash V-NAND (hay NAND dọc) hàng đầu trên thế giới. Việc sử dụng cấu trúc 3D dọc mang tính cách mạng của công nghệ V-NAND đã giúp sản phẩm thẻ nhớ và bộ nhớ của hãng đạt đến độ bền cũng như hiệu suất cao vượt trội. Với những di sản công nghệ vững chắc trong quá khứ cùng tinh thần đổi mới sáng tạo không ngừng nghỉ, Samsung hiện sở hữu nhiều công nghệ ổ cứng tân tiến, đáp ứng mọi nhu cầu từ sử dụng hàng ngày đến xử lý AI, đồ hoạ 3D và video.
Bộ nhớ Flash V-NAND với cấu trúc 3D dọc mang tính cách mạng của Samsung, mang đến hiệu suất và độ bền vượt trội so với công nghệ truyền thống
"Át chủ bài" mới trong kỷ nguyên AI
Các công nghệ bộ nhớ Flash đột phá cho phép Samsung tạo ra nhiều sản phẩm ổ cứng SSD gắn trong mạnh mẽ, đáp ứng nhiều nhu cầu từ đơn giản đến phức tạp trong kỷ nguyên AI.
Samsung 9100 PRO NVMe SSD là đại diện vô cùng nổi bật. Hiệu suất PCIe® 5.0 đột phá cho phép dòng ổ cứng gắn trong này đạt tốc độ đọc/ghi tuần tự cực nhanh lên đến 14.800/13.400 MB/s (nhanh gấp đôi 990 PRO), tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên cũng bứt phá lên đến 2.200K/2.600K IOPS, giúp xử lý đồng thời vô số dữ liệu rời rạc cực nhanh. Tất cả mang đến hiệu suất đầu ra cực đỉnh và thời gian tải tức thì cho các game khủng, tác vụ nặng và cả ứng dụng AI. Với dung lượng mở rộng lên đến 8TB cho phép người dùng thoải mái lưu trữ trong quá trình chỉnh sửa video, tác phẩm 3D và thậm chí các phiên livestream dài.
Samsung 9100 PRO NVMe SSD sở hữu tốc độ siêu nhanh với hiệu suất PCIe® 5.0 đột phá
Để củng cố hiệu suất tối ưu, Samsung 9100 PRO NVMe SSD được trang bị cấu trúc nguồn bộ điều khiển 5nm hiện đại giúp tăng hiệu quả sử dụng điện năng tới 49% so với 990 PRO. Hệ thống kiểm soát nhiệt độ ưu việt đảm bảo luồng công việc của người dùng không bị gián đoạn, cho phép chạy các ứng dụng nặng với hiệu suất PCIe® 5.0 tối đa.
Một sản phẩm ổ cứng gắn trong nổi bật khác là Samsung 990 EVO Plus . Được trang bị công nghệ NAND mới, sản phẩm đạt tốc độ đọc/ghi tuần tự lên tới 7.250/6.300MB/s (nhanh hơn 45% so với thế hệ tiền nhiệm). Hiệu quả tiết kiệm năng lượng tăng 73% nhờ bộ điều khiển phủ nickel, giúp đạt được nhiều MB/s hơn trên mỗi watt, đồng thời duy trì hiệu suất và khả năng kiểm soát nhiệt. Sản phẩm mang đến sự linh hoạt vượt trội với dung lượng mở rộng lên đến 4TB và tốc độ ghi nhanh hơn nhờ công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0 cùng vùng TurboWrite mở rộng mới.
Samsung 990 EVO Plus tiết kiệm đến 73% năng lượng trong quá trình vận hành
Với danh mục sản phẩm bộ nhớ Flash đa dạng, đặc biệt là các dòng ổ cứng gắn trong ưu việt, Samsung đang tiếp tục củng cố ngôi vương đã duy trì suốt nhiều thập niên của mình. Đây là cái tên đáng tin cậy khi người dùng muốn tìm kiếm các dòng ổ cứng vượt trội về hiệu suất, độ bền cùng khả năng tương thích đa thiết bị.